FDMS86103L
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 12A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3710 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
onsemi
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
12A (Ta), 49A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Base Product Number:
FDMS86103
Introduzione
N-canale 100 V 12A (Ta), 49A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montatura superficiale 8-PQFN (5x6)
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Di riserva:
MOQ: