FQP17P06
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 8.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Package:
Tube
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±25V
Status del prodotto:
Attivo
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
900 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
17A (Tc)
Power Dissipation (Max):
79W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP17
Introduzione
P-canale 60 V 17A (Tc) 79W (Tc) attraverso foro TO-220-3
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Di riserva:
MOQ: