NDS335N
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.7V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
8V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
240 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Mfr:
ONSEMI
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.7A (Ta)
Dissipazione di potere (massima):
500mW (tum)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numero del prodotto di base:
NDS335
Introduzione
N-canale 20 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Montatura superficiale SOT-23-3
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Di riserva:
MOQ: