SIA537EDJ-T1-GE3
Descrizione:
SIA537EDJ-T1-GE3 scheda pdf e Transistor - FET, MOSFET - Arrays dettagli del prodotto da Vishay / Si
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Numero della parte:
SIA537EDJ-T1-GE3
Produttore:
Vishay/Siliconix
Descrizione:
In magazzino, modelli alternativi disponibili.
Ciclo di vita:
Nuovo da questo produttore
Fogli dati:
SIA537EDJ-T1-GE3 Scheda dati PDF
Consegna:
DHL, UPS, FedEx, Posta raccomandata
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ulteriori informazioni:
SIA537EDJ-T1-GE3 Maggiori informazioni
ECAD:
Richiedere modelli CAD gratuiti
Prezzi ((USD):
0 dollari.67
Commento:
Produttore: Vishay / Siliconix.
Tanssion e' uno dei distributori.
Ampia gamma di applicazioni.
Montagna:
Montaggio superficiale
Tempo di caduta:
10 ns
Tempo di aumento:
15 NS
Programma B:
8541290080
Capacità introdotta:
455 pF
Numero di canali:
2
Tempo di ritardo di giro-fuori:
30 ns
Temperatura massima di funzionamento:
150 °C
Vuoti alla resistenza di fonte:
75 mΩ
Corrente continua dello scolo (identificazione):
4,5 A
Vuoti a tensione di ripartizione di fonte:
-20 V
Categoria dei prodotti:
Semiconduttore discreto - Transistor - FET, MOSFET - Array
Fogli dati:
SIA537EDJ-T1-GE3.pdf
Quota:
1391 In magazzino
Applicazioni:
Elettronica del corpo e illuminazione
Sistemi ibridi, elettrici e motopropulsori
Infrastrutture wire
Peso:
280,009329 mg
Imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds su Max:
28 mΩ
Numero di perni:
6
Voltaggio di soglia:
1 v
Tempo di ritardo d'apertura:
15 NS
Dissipazione di potenza massima:
7.8 W
Min Temperatura di funzionamento:
-55 °C
Portone a tensione di fonte (Vgs):
8 V
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
20 V
Introduzione
SIA537EDJ-T1-GE3 Overview\\\\nSIA537EDJ-T1-GE3 è un modello appartenente alla sottocategoria dei transistor - FET, MOSFET - Arrays sotto Semiconduttore discreto.Si prega di consultare la scheda, come file PDF Docx documenti, ecc. Abbiamo SIA537EDJ-T1-GE3 immagini ad alta definizione e schede di dati per riferimento.Continueremo a produrre vari file video e modelli 3D per consentire agli utenti di comprendere il nostro prodotto in modo più intuitivo e completoSIA537EDJ-T1-GE3 è ampiamente utilizzato in elettronica del corpo e illuminazione, sistemi ibridi, elettrici e powertrain, infrastrutture wireless.Tensione e altri distributori. SIA537EDJ-T1-GE3 può essere acquistato in molti modi. È possibile effettuare un ordine direttamente su questo sito web, o è possibile chiamare o inviare una e-mail a noi. Attualmente, abbiamo forniture sufficienti.Possiamo anche adattare l'inventario ai distributori per soddisfare le vostre esigenzeSe l'approvvigionamento di SIA537EDJ-T1-GE3 è insufficiente, abbiamo anche altri modelli sotto la categoria Discrete Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays per sostituirlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Così si può ordinare SIA537EDJ-T1-GE3 da Fans con fiducia.TNT e EMS o qualsiasi altro agente di spedizioneSe volete saperne di più sul trasporto, non esitate a contattarci per ulteriori dettagli.
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