NT1T1T2T1T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T
Descrizione:
NTJD4105CT1G scheda dati pdf e Transistor - FET, MOSFET - Arrays dettagli sui prodotti di Sanyo Semi
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Numero della parte:
NT1T1T2T1T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2T
Produttore:
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione:
In magazzino, modelli alternativi disponibili.
Ciclo di vita:
Nuovo da questo produttore
Fogli dati:
NTD4105CT1G Fogli di dati PDF
Consegna:
DHL, UPS, FedEx, Posta raccomandata
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ulteriori informazioni:
NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1 NT1
ECAD:
Richiedere modelli CAD gratuiti
Prezzi ((USD):
0 dollari.51
Commento:
Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor.
Tanssion e' uno dei distributori.
Ampia gamma di a
Larghezza:
1.35 mm
Distanze:
2.2 mm
Imballaggio:
Taglio del nastro
Rds su Max:
375 mΩ
Programma B:
8541210080
Cassa/imballaggio:
SOT-363-6
Numero di perni:
6
Dissipazione del potere:
550 Mw
Numero di elementi:
2
Tempo di ritardo di giro-fuori:
50 ns
Dissipazione di potenza massima:
270 mW
Min Temperatura di funzionamento:
-55 °C
Portone a tensione di fonte (Vgs):
8 V
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
20 V
Categoria dei prodotti:
Semiconduttore discreto - Transistor - FET, MOSFET - Array
Fogli dati:
NTJD4105CT1G.pdf
Quota:
5293 In magazzino
Applicazioni:
Home theater e intrattenimento
Infrastrutture di rete
Acido acetilsalico
Altezza:
1 millimetro
Tempo di caduta:
36 NS
Tempo di aumento:
23 NS
Resistenza:
220 mΩ
Vgs nominale:
920 sistemi MV
Classificazione attuale:
630 mA
Capacità introdotta:
46 pF
Voltaggio di soglia:
920 sistemi MV
Tempo di ritardo d'apertura:
83 NS
Configurazione dell'elemento:
Doppia
Temperatura massima di funzionamento:
150 °C
Vuoti alla resistenza di fonte:
220 mΩ
Corrente continua dello scolo (identificazione):
630 mA
Vuoti a tensione di ripartizione di fonte:
-8 V
Introduzione
NTJD4105CT1G Overview\\\\nNTJD4105CT1G è un modello appartenente alla sottocategoria dei transistor - FET, MOSFET - Arrays sotto Discrete Semiconductor.Si prega di consultare la scheda, come file PDF Docx documenti, ecc. Abbiamo NTJD4105CT1G immagini ad alta definizione e schede dati per riferimento.Continueremo a produrre vari file video e modelli 3D per consentire agli utenti di comprendere il nostro prodotto in modo più intuitivo e completo. NTJD4105CT1G è ampiamente utilizzato in home theater & entertainment, infrastrutture di rete, tablet.Tensione e altri distributori. NTJD4105CT1G può essere acquistato in molti modi. Si può effettuare un ordine direttamente su questo sito web, o si può chiamare o inviare una e-mail a noi. Attualmente, abbiamo forniture sufficienti.Possiamo anche adattare l'inventario ai distributori per soddisfare le vostre esigenzeSe l'approvvigionamento di NTJD4105CT1G è insufficiente, abbiamo anche altri modelli nella categoria dei transistor a semiconduttore discreto - FET, MOSFET - Array per sostituirlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. In modo da poter ordinare NTJD4105CT1G da Fans con fiducia.TNT e EMS o qualsiasi altro agente di spedizioneSe volete saperne di più sul trasporto, non esitate a contattarci per ulteriori dettagli.
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