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circuiti integrati a semiconduttori - IC
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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AR9580-AR1A |
802.11n modulo wireless
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Qualcomm
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C5198 |
Applicazioni di amplificatori di potenza di tipo triplo diffuso NPN in silicio
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Toshiba
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RTcomunicazione elettronica |
Controller completo di alimentazione della memoria DDRII/DDRIII
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Richtek
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2SC3997 |
Display a colori ad altissima definizione
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SANYO
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SII9134CTU |
Trasmettitore HDMI VastLaneTM
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Semiconduttore a reticolo
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MIP2F4 |
MIP2C2 IPD ad alte prestazioni per caricabatterie
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Panasonic
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W9864G6IH-7 |
1M × 4BANKS × 16BITS SDRAM
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Winbond Electronics
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K4S561632H-UC75 |
Guida al prodotto SDRAM
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Semiconduttore Samsung
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IS61C256AH-12J |
32K x 8 RAM CMOS STATICA ad alta velocità
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ISSI
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K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 banche DRAM sincrona LVTTL
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Semiconduttore Samsung
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TLP560J |
TOSHIBA Fotoaccoppiatore GaAs Ired e Photo-Triac
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Toshiba
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SSC9512S |
Controller IC per alimentazione elettrica di commutazione di tipo risonante di corrente con risonanz
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Sconto
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GAL16V8D-15LD |
E2CMOS PLD generic array logicTM ad alte prestazioni
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Fabbricazione a partire da:
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K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb di E-die DDR2 SDRAM
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Semiconduttore Samsung
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CIELO77753-51 |
Modulo amplificatore di potenza per FDD LTE a banda penta
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Soluzioni Skyworks
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EE80C196KC20 |
MCU 16-bit MCS96 CISC ROMLess 5V 68-Pin PLCC - ingombro (Alt: EE80C196KC20) RoHS: conforme
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Informazioni
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SKY77547-11 |
Modulo front-end Tx-Rx iPAC - GSM/GPRS a quattro bande
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Soluzioni Skyworks
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K9F1G08U0B-PCB0 |
Memoria flash NAND da 128 M x 8 bit / 256 M x 8 bit
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Semiconduttore Samsung
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ECHU1C103JX5 |
Capacitore a pellicola 0,01 uF 16VDC 5% PPS FILM 0805
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Panasonic
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K9F5608U0D-PIB0 |
Memoria flash NAND 32M x 8 bit
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Semiconduttore Samsung
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TMP86FH47BUG |
Microcontrollore a 8 bit serie TLCS-870/C
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Semiconduttore di Toshiba
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HD64F3062BF25V |
MCU 16-bit/32-bit H8 CISC 128KB Flash 3.3V/5V 100-Pin PQFP - vassoi (Alt: DF3062BF25V) RoHS: conform
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Renesas Elettronica
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HD64F3048BF25V |
IC,MICROCONTROLLER,16-BIT,H8/300H CPU,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC
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Renesas Elettronica
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2SC2879 |
TRANSISTORE (SSB lineare di 2 ~ 30 MHz)
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Semiconduttore di Toshiba
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LA7840 |
Circuito di uscita di deflessione verticale
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SANYO
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LA7837 |
Circuito di deflessione verticale con TV / CRT Display Drive
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SANYO
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TC4049BP |
IC 4000/14000/40000 SERIE, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDIP16, 0,300 INCH, 2,54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-
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Semiconduttore di Toshiba
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LA3600 |
2 Canali di AMP di alimentazione, per radio, registratore
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SANYO
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LA7830 |
Circuito di uscita di deflessione verticale per TV a colori
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SANYO
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NCT3101S |
Regolatore di terminazione degli autobus
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Tecnologia Nuvoton
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HS4-3282-8 |
Circuito di interfaccia del bus CMOS ARINC
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Intersil
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K4S561632N-LC75 |
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Semiconduttore Samsung
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TDA8927J |
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Semiconduttori NXP
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EMMC08G-T227 |
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SanDisk
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Classificazione di tali prodotti: |
Memoria flash NAND da 128 M x 8 bit / 256 M x 8 bit
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Semiconduttore Samsung
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RF1658TR13 |
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RFMD
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2-1393225-1 |
PCB di potenza in miniatura RYII e RYII soldabili a riversamento
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Connettività TE
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2SK1830 |
FET MOS a canale N in silicio
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Toshiba
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K9WBG08U1M-PIB0 |
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Semiconduttore Samsung
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W9712G6JB-25 |
2M × 4 BANKS × 16 BIT DDR2 SDRAM
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Winbond Electronics
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K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 bit / 2G x 8 bit NAND Flash Memory
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Semiconduttore Samsung
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N79E8132AS16 |
Nuvoton 8051 Microcontrollore del kernel
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Tecnologia Nuvoton
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R2J20651NP |
Conducibile integrato - MOS FET (DrMOS)
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Renesas Elettronica
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S29GL128N10TFI02 |
3.0 Memoria flash in modalità pagina a soli volt con tecnologia di processo MirrorBitTM da 110 nm
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Spansione / Cipresso
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K9F2G08U0C-SIB0 |
2 GB di C-die NAND Flash
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Semiconduttore Samsung
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K9F2G08U0C-SCB0 |
2 GB di C-die NAND Flash
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Semiconduttore Samsung
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SII9287BCNU |
Processore HDMI con tecnologia di visualizzazione InstaPort
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Semiconduttore a reticolo
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LR38603A |
Processore di segnale digitale per telecamere CCD a colori
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Microelettronica Sharp
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PEF20532FV1.3 |
Controller di comunicazione seriale ottimizzato a 2 canali
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Tecnologie Infineon
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S3C4530A01-QE80 |
Il microcontrollore RISC a 16/32 bit è un microcontrollore economico e ad alte prestazioni
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Semiconduttore Samsung
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