MMBT3904LT1G
fabbricante:
ONSEMI
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
NPN
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Corrente CC massima del collettore:
0.2A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
40 V
Pd - Dissipazione di potenza:
225 mW
pacchetto:
SOT-23
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
300 MHz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
60 V
RoHS:
Verde disponibile
Quantità di imballaggio in fabbrica:
3000
Tensione emittenta-base VEBO:
6V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
0.3V
Produttore:
semi
Introduzione
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