2DB1182Q-13
fabbricante:
Diodi incorporati
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
PNP
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
- 3 A.
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
- 32 V
Confezione / Cassa:
TO-252-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
110 MHz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
- 40 V
Serie:
2DB11
Tensione emittenta-base VEBO:
- 5 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
- 0,8 V
Produttore:
Diodi incorporati
Introduzione
Il 2DB1182Q-13, di Diodes Incorporated, è Bipolar Transistors - BJT. quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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