FID60-06D
fabbricante:
IXYS
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 200
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
65 A
Pd - Dissipazione di potenza:
200 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
ISOPLUS i4-PAC-5
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1,6 V
Produttore:
IXYS
Introduzione
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