FP100R12KT4
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
Moduli IGBT Modulo IGBT
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 100
Categoria di prodotto:
Moduli di IGBT
Corrente di collettore continua a 25 C:
100 A
Pd - Dissipazione di potenza:
5.15 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
Economia
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Configurazione:
3 fasi
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,1 V
Prodotto:
Moduli del silicio di IGBT
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
Il modulo FP100R12KT4 di Infineon Technologies, è un modulo IGBT. Ciò che offriamo ha un prezzo competitivo sul mercato globale, che è composto da parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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