FF900R12IE4
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
Moduli IGBT IGBT 1200V 900A
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 400
Categoria di prodotto:
Moduli di IGBT
Corrente di collettore continua a 25 C:
900 A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Pd - Dissipazione di potenza:
5,1 kw
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,05 V
Prodotto:
Moduli del silicio di IGBT
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
Il modulo FF900R12IE4 di Infineon Technologies è costituito da moduli IGBT.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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