FS450R12KE3
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
Moduli IGBT 1200V 450A a 3 fasi
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 400
Categoria di prodotto:
Moduli di IGBT
Corrente di collettore continua a 25 C:
600 A
Pd - Dissipazione di potenza:
2100 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
EconoPACK+
Temperatura massima di funzionamento:
+ 125 C
Configurazione:
Hex.
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,15 V
Prodotto:
Moduli del silicio di IGBT
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
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