FGA30S120P
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
IGBT transistor con anodo cortoTM IGBT
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 500
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
60 A
Pd - Dissipazione di potenza:
174 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1300 V
Confezione / Cassa:
TO-3PN
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
25 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,3 V
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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