IKW30N60T
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
IGBT Transistor IGBT TrnchStp w/Soft Ricupero rapido
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 100
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
45 A
Pd - Dissipazione di potenza:
187 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1,9 V
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
L'IKW30N60T, di Infineon Technologies, è un transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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