IXDH35N60BD1
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
Transistori IGBT 35 Amps 600V
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,1 V
Produttore:
IXYS
Introduzione
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