HGTG20N60B3D
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
Transistor IGBT 600V IGBT UFS N-Channel
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+/- 100 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
20 A
Pd - Dissipazione di potenza:
165 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1,8 V
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Introduzione
L'HGTG20N60B3D, di Fairchild Semiconductor, sono transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Related Products
FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
FGH60N60UFDTU
FGH75T65UPD
FGH40N60SMDF
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
|
|
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
|
|
FGH60N60UFDTU |
|
|
|
|
FGH75T65UPD |
|
|
|
|
FGH40N60SMDF |
|
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: