FGH40T120SMD
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
IGBT Transistor 1200V 40A IGBT FS2 Trench
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+/-400 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
80 A
Pd - Dissipazione di potenza:
555 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3L
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 25 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1,8 V
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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