IXBT42N170
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
Transistor IGBT BIMOSFET 1700V 75A
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1700 V
Confezione / Cassa:
TO-268-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,3 V
Produttore:
IXYS
Introduzione
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