STGW30NC120HD
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
Transistor IGBT N-CHANNEL IGBT
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+/- 100 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Pd - Dissipazione di potenza:
220 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 25 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,75 V
Produttore:
STMicroelettronica
Introduzione
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