FGAF40N60SMD
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
Transistor IGBT 600 V 80 A 79 W
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 400
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
80 A
Pd - Dissipazione di potenza:
79 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-3PF
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
imballaggio:
Tubo
Tensione massima dell'emettitore del portone:
20 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,1 V
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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