TC58NVG1S3HTA00
fabbricante:
Toshiba
Descrizione:
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS e NAND EEPROM
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
EEPROM
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Organizzazione:
256 m. x 8
Confezione / Cassa:
TSOP-48
Dimensione della memoria:
2 Gbit
imballaggio:
Scaffale
Serie:
TC58NVG1S3
Tipo di interfaccia:
Parallelamente
Produttore:
Toshiba
Introduzione
Il TC58NVG1S3HTA00, di Toshiba, è EEPROM.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Related Products
TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTA00
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG2S0HBAI4
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: