TC58NYG0S3HBAI6
fabbricante:
Toshiba
Descrizione:
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Corrente del rifornimento - massima:
30 mA
Categoria di prodotto:
EEPROM
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Organizzazione:
128 m. x 8
Confezione / Cassa:
VFBGA-67
Dimensione della memoria:
1 Gbit
imballaggio:
Scaffale
Serie:
TC58NYG0S3
Tipo di interfaccia:
Parallelamente
Frequenza massima dell'orologio:
-
Produttore:
Toshiba
Introduzione
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EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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