IXFN520N075T2
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
Si
Identificazione - corrente continua dello scolo:
480 A
Stile di montaggio:
Montaggio del telaio
Marca:
HiPerFET
Temperatura minima di funzionamento:
- 55 C
Confezione / Cassa:
SOT-227-4
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
75 V
imballaggio:
Tubo
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
5 V
Categoria di prodotto:
MOSFET
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
1,5 mOhms
Numero di canali:
1 canale
Vgs - tensione di Portone-fonte:
20 V
Qg - tassa del portone:
545 d.C.
Produttore:
IXYS
Introduzione
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