IXFK200N10P
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET 200 Ampere 100V 0,0075 Rds
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
Si
Identificazione - corrente continua dello scolo:
200 A
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Marca:
Polar, HiPerFET
Temperatura minima di funzionamento:
- 55 C
Confezione / Cassa:
TO-264-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
100 V
imballaggio:
Tubo
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
5 V
Categoria di prodotto:
MOSFET
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
7.5 mOhms
Numero di canali:
1 canale
Vgs - tensione di Portone-fonte:
20 V
Qg - tassa del portone:
235 nC
Produttore:
IXYS
Introduzione
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