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IXFH50N50P3

fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4335 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Series:
HiPerFET™, Polar3™
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
50A (TC)
Power Dissipation (Max):
960W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH50
Introduzione
N-canale 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) attraverso foro TO-247AD (IXFH)
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Di riserva:
MOQ: