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IXFN100N65X2

fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
183 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 50A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Package:
Tube
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
10800 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Ultra X2
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
78A (Tc)
Power Dissipation (Max):
595W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN100
Introduzione
N-canale 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) montatura del telaio SOT-227B
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Di riserva:
MOQ: