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IXFH12N100P

fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
80 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.05Ohm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4080 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Serie:
HiPerFETTM, Polar
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
463W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numero del prodotto di base:
IXFH12
Introduzione
N-canale 1000 V 12A (Tc) 463W (Tc) attraverso il foro TO-247AD (IXFH)
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Di riserva:
MOQ: