IXTQ96N20P
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
145 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Status del prodotto:
Attivo
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4800 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Series:
Polar
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-3P
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
96A (Tc)
Power Dissipation (Max):
600W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTQ96
Introduzione
N-canale 200 V 96A (Tc) 600W (Tc) attraverso foro TO-3P
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