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IXFH86N30T

fabbricante:
IXYS
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 86A a 247AD
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 4mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
180 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
43mOhm @ 43A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
300 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
11300 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Trench
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
86A (TC)
Power Dissipation (Max):
860W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Base Product Number:
IXFH86
Introduzione
N-canale 300 V 86A (Tc) 860W (Tc) attraverso foro TO-247AD (IXFH)
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Di riserva:
MOQ: