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Circuiti integrati - CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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BA10393F-E2 |
Comparatori analogici Dual Comparator
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Semiconduttore Rohm
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M25P64-VMF6P |
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
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Tecnologia Micron
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LM293DR |
I comparatori analogici si raddoppiano differenziale
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Strumenti texani
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LM339DR2G |
Comparatori analogici 3-36V Qud Comparatore commerciale Temp
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ONSEMI
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W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
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Winbond Electronics
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LM219DT |
Comparatori analogici a doppia tensione Hi-Spd
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STMicroelettronica
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LM393DR |
I comparatori analogici si raddoppiano differenziale
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Strumenti texani
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JS28F640J3D75A |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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JS28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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LM2903DR2G |
Comparatori analogici 2-36V Dual -40 a 105°C
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ONSEMI
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LM2903TH-13 |
Comparatori analoghi Comparatore
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Diodi incorporati
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M25P16-VMN6TP |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
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Tecnologia Micron
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NCS2200SQ2T2G |
Comparatori analogici 0.85-6V Comparatore CMOS singolo
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ONSEMI
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LM2903DMR2G |
Comparatori analogici 2-36V Dual -40 a 105°C
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ONSEMI
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NCV2393DR2G |
Comparatori analoghi a bassa potenza
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ONSEMI
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LM2903D |
Comparatori analogici a doppia differenza
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Strumenti texani
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LM339DR |
Comparatori analogici Quad Differential
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Strumenti texani
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MCP65R46T-2402E/CHY |
Comparatori analogici Comparatore a scarico aperto singolo 2.4V Ref
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Tecnologia dei microchip
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M25P40-VMN6TPB |
IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SO
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Tecnologia Micron
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LM2903DR |
Comparatori analogici a doppia differenza di temperatura
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Strumenti texani
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IS66WVE4M16ALL-70BLI |
SRAM 64Mb 70ns1.7-1.95v 4M x 16 Pseudo SRAM
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ISSI
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MT2F32G08AFABAWP-IT:B |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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TPS3700DDCR |
Comparatori analogici Comp finestra per Over & Under Vltg Det
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Strumenti texani
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JS28F128P30BF75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MT47H64M16HR-25E: H |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
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Tecnologia Micron
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MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2 |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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IS61LV12816L-10BI |
SRAM 2Mb 128Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS62WV25616BLL-55TI |
SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM
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ISSI
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MT48LC32M16A2P-75:C |
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
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Tecnologia Micron
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IS61WV102416BLL-10MI |
SRAM 16M 3.3V 10ns 1M x 16 SRAM asincrono
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ISSI
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IS61LV6416-10TI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS61LF51236A-7.5TQLI |
SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns Sincronizzazione SRAM 3.3v
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ISSI
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IS63LV1024L-10JLI |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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NAND128W3A2BN6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
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Tecnologia Micron
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IS66WVH16M8ALL-166B1LI |
SRAM 128Mb 16Mbx8 1.8V 166MHz HyperRAM
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ISSI
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IS61LV2568L-10TL |
SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS61LV6416-10TLI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS61LV6416-10TLI-TR |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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25AA02E48T-I/OT |
IC EEPROM 2K SPI 10MHZ SOT23-6
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Tecnologia dei microchip
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M29W160ET70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
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Tecnologia Micron
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W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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W25Q16FWSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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IS61LV25616AL-10TI |
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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ISSI
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MT47H128M16RT-25E: C |
IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
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Tecnologia Micron
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IS63LV1024L-12JL |
SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async SRAM 3.3v
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ISSI
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IS62WV1288DBLL-45HLI |
SRAM 1Mb 45ns 128Kx8 Async SRAM
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ISSI
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JS28F320J3D75 |
IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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PC28F256J3F95A |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
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Tecnologia Micron
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W9812G6KH-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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Winbond Electronics
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