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IC di memoria
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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MTFC64GAPALBH-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Tecnologia Micron
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MT4117M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067 MHz
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AUT |
NOR di serie 512M MT35X 45NM IT
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Tecnologia Micron
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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133 MHz 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT25QL512ABB8E12-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QU01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC FLASH 16G PARALLEL TSOP
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Tecnologia Micron
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MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC FLASH 2G SPI
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Tecnologia Micron
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MT61K256M32JE-12:A |
RAM IC 8G PARALLEL 1.5 GHz FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALNA-AAT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
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Tecnologia Micron
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MT2F8G08ABABAWP-AITX |
IC FLASH 8G PARALLEL TSOP
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Tecnologia Micron
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MT4A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A1G8WE-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Serial NOR SLC 64MX8 TBGA
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Tecnologia Micron
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467 MHz
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
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Tecnologia Micron
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MT4commercio di beni immobili |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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W25Q32BVSSJG |
Memoria flash IC 32 MB
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Winbond Electronics
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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K9F5608U0D-PCB0 |
Memoria flash NAND 32M x 8 bit
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Semiconduttore Samsung
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K4A8G085WB-BCPB |
8Gb B-die DDR4 SDRAM
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Semiconduttore Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8GB di memoria B-die DDR4 SDRAM x16
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Semiconduttore Samsung
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specifica
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Semiconduttore Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA senza piombo e senza alogene (conforme alla normativa RoHS)
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Semiconduttore Samsung
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16GB di E-die NAND Flash
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Semiconduttore Samsung
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K4G20325FD-FC03 |
Memoria grafica
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Semiconduttore Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Memoria grafica
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Semiconduttore Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
Memoria IC
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Semiconduttore Samsung
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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K4B1G1646G-BCH9 |
1Gb D-die DDR3 SDRAM Specifica
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Semiconduttore Samsung
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C4G80325FB-HC25 |
Memoria grafica
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Semiconduttore Samsung
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M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Parallela 128Mbit 16 56/56
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STMicroelettronica
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AT25SF041-SSHD-T |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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Tecnologie di Adesto
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MX25L12835FMI-10G |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP
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MXIC, Macronix.
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MX25R2035FZUIL0 |
IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8USON
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MXIC, Macronix.
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MX30LF2G18AC-TI |
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
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MXIC, Macronix.
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M24C64-RMN6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8SO
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STMicroelettronica
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MX30LF1G18AC-TI |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
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MXIC, Macronix.
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