TGF2953
fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
Transistor RF JFET DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
GaN SiC
Categoria di prodotto:
Transistori RF JFET
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Guadagno:
18.2 dB
Tipo di transistor:
HEMT
Potenza di uscita:
410,6 dBm
Confezione / Cassa:
Morire.
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
32 V
imballaggio:
cialda
Tensione massima della porta di scarico:
100 V
Identificazione - corrente continua dello scolo:
820 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
17 W
Produttore:
Qorvo
Introduzione
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