QPD3601
fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
Transistor RF JFET da 3,4 a 3,6 GHz 50V 180 Watt GaN
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
GaN SiC
Categoria di prodotto:
Transistori RF JFET
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Guadagno:
dB 22
Tipo di transistor:
HEMT
Potenza di uscita:
180 W
Confezione / Cassa:
NI400-2
Temperatura massima di funzionamento:
+ 85 C
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
50 V
imballaggio:
cialda
Tensione massima della porta di scarico:
55 V
Identificazione - corrente continua dello scolo:
360 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
60.9 W
Produttore:
Qorvo
Introduzione
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