TGF2978-SM
fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
Transistor RF JFET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Guadagno 11dB
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
GaN SiC
Categoria di prodotto:
Transistori RF JFET
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Guadagno:
11 dB
Tipo di transistor:
HEMT
Potenza di uscita:
19 W
Confezione / Cassa:
QFN-20
Temperatura massima di funzionamento:
+ 225 C
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
32 V
imballaggio:
Scaffale
Identificazione - corrente continua dello scolo:
1,3 A
Vgs - tensione di rottura della sorgente della porta:
- 2,7 V
Pd - Dissipazione di potenza:
33 W
Produttore:
Qorvo
Introduzione
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