RK7002BMHZGT116
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
15 pF @ 25 V
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max):
± 20V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SST3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Mfr:
ROHM Semiconductor
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 10V
Dissipazione di potere (massima):
350mW (tum)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
250 mA (Ta)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
RK7002
Introduzione
N-Canale 60 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Montatura superficiale SST3
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