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Circuiti integrati - CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
IC FLASH 16G PARALLEL TSOP
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Tecnologia Micron
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MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC FLASH 2G SPI
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Tecnologia Micron
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MT61K256M32JE-12:A |
RAM IC 8G PARALLEL 1.5 GHz FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALNA-AAT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
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Tecnologia Micron
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MT2F8G08ABABAWP-AITX |
IC FLASH 8G PARALLEL TSOP
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Tecnologia Micron
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MT4A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A1G8WE-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Serial NOR SLC 64MX8 TBGA
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Tecnologia Micron
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S29GL032N90FFIS42 |
Memoria flash né
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Semiconduttore di cipresso
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467 MHz
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Tecnologia Micron
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TC58NVG2S3ETA00 |
Memoria flash EEPROM seriale SLC NAND Flash da 4 Gb 3,3 V
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Toshiba
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MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
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Tecnologia Micron
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THGBMDG5D1LBAIL |
Memoria flash 4GB NAND EEPROM
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Toshiba
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THGBMHG8C2LBAIL |
Memoria flash 32 GB NAND EEPROM w/CQ
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Toshiba
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MT4commercio di beni immobili |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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TC58NVG1S3ETAI0 |
Memoria flash 1Gb 3.3V SLC NAND Flash EEPROM seriale
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Toshiba
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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IS25LQ040B-JNLE-TR |
Memoria flash 4Mb QSPI, un CONTENTINO 150Mil, RoHS di 8 perni ET, T&R
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ISSI
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Tecnologia Micron
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S34ML02G104TFI010 |
Memoria flash 2G 3V 25ns NAND Flash
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Semiconduttore di cipresso
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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S34ML01G100TFI000 |
Memoria flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Spansione / Cipresso
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S34ML04G200TFI000 |
Memoria flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
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Semiconduttore di cipresso
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IS25LQ040B-JBLE-TR |
Memoria flash 4Mb QSPI, un CONTENTINO 208Mil, RoHS di 8 perni ET, T&R
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ISSI
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S25FL164K0XMFI013 |
Memoria flash 64M, 3.0V, 108Mhz di serie NÉ istantaneo
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Semiconduttore di cipresso
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IS25LQ512B-JNLE |
Memoria flash 512Kb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
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ISSI
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IS25LQ040B-JNLE |
Memoria flash 4 Mb QSPI, SOP 150 milioni a 8 pin, RoHS, ET
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ISSI
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W25Q32BVSSJG |
Memoria flash IC 32 MB
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Winbond Electronics
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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S29PL032J70BFI120 |
Parallelo di memoria flash 32Mb 3V 70ns NÉ istantaneo
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Semiconduttore di cipresso
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S34ML01G100BHI000 |
Memoria flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
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Semiconduttore di cipresso
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K9F5608U0D-PCB0 |
Memoria flash NAND 32M x 8 bit
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Semiconduttore Samsung
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K4A8G085WB-BCPB |
8Gb B-die DDR4 SDRAM
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Semiconduttore Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8GB di memoria B-die DDR4 SDRAM x16
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Semiconduttore Samsung
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specifica
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Semiconduttore Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA senza piombo e senza alogene (conforme alla normativa RoHS)
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Semiconduttore Samsung
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S25FL127SABBHIC00 |
Memoria flash 128MB 3V 108MHz seriale NOR flash
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Spansione / Cipresso
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16GB di E-die NAND Flash
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Semiconduttore Samsung
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K4G20325FD-FC03 |
Memoria grafica
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Semiconduttore Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Memoria grafica
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Semiconduttore Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
Memoria IC
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Semiconduttore Samsung
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S29WS512P0SBFW000 |
Parallelo di memoria flash 512Mb 1.8V 80Mhz NÉ istantaneo
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Spansione / Cipresso
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S29WS256P0PBFW000 |
Memoria flash 256 Mb 1,8 V 66 Mhz Flash NOR parallelo
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Spansione / Cipresso
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