Filtri
Filtri
Memoria
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29F4G08ABADAWP: D |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBADBWPR: D |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT2comunicazione elettronica |
IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
W25X20VSNIG |
IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
PC28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420 |
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
M29W128GH70N6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
W25X16VSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25Q80JVSNIQ |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESC40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
RC28F128J3C150 |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
M28W160CT70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
S29GL256N11TFI010 |
3.0 Memoria flash in modalità pagina a soli volt con tecnologia di processo MirrorBitTM da 110 nm
|
Spansione / Cipresso
|
|
|
|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 bit / 1G x 8 bit NAND Flash Memory
|
Semiconduttore Samsung
|
|
|
|
|
|
W25X16AVSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25X64VSFIG |
IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64 Mb di memoria SDRAM K-die
|
Semiconduttore Samsung
|
|
|
|
|
|
Classificazione di tali prodotti: |
Memoria flash NAND da 256 M x 8 bit
|
Semiconduttore Samsung
|
|
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 bit / 2G x 8 bit NAND Flash Memory
|
Semiconduttore Samsung
|
|
|
|
|
|
S29JL032H70TFI010 |
32M BIT CMOS 3,0V Flash Memory
|
Spansione / Cipresso
|
|
|
|
|
|
Per le persone che non hanno accesso a tali servizi, l'autorizzazione è concessa. |
Memoria IC
|
Semiconduttore Samsung
|
|
|
|
|
|
PC28F256M29EWLA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
M29W400DB55N6E |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT2commercio di beni immobili |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
IC DRAM 4G PARALLEL 533 MHz
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MTFC8GACAENS-AAT |
IC FLASH 64G MMC
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
M29W256GL70N6E |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-075: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT25QL02GCBB8E12-0AAT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D |
IC FLASH 32G PARALLEL 166MHZ
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
JS28F256J3F105A |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
W9425G6EH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
MT4A1G8SA-062E:E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.6 GHz
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
PC28F00AM29EWHA |
IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
PC28F00AP30EFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
JS28F00AP33TFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
PC28F512P30EFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
JS28F512P33TFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
JS28F512P30BFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
Tecnologia Micron
|
|
|
|
|
|
W25X20AVSNIG |
IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25Q64BVSFIG |
IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25X10BVSNIG |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25X40BVSSIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|