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Memoria
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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PC28F256P30BFE |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL512ABB8ESF-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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JS28F256P33TFE |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MT29F8G08ABABAWP-IT: B |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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MT47H256M8EB-25E: C |
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
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Tecnologia Micron
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PC28F640P30TF65A |
IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
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Tecnologia Micron
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PC28F128P30TF65A |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Tecnologia Micron
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M25P128-VME6GB |
IC FLASH 128M SPI 54MHZ 8VDFPN
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Tecnologia Micron
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MT41J64M16JT-125: G |
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
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Tecnologia Micron
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M24C64-WMN6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8SO
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STMicroelettronica
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BR24G04FJ-3GTE2 |
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ
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Semiconduttore Rohm
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24AA08T-I/OT |
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ SOT23-5
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Tecnologia dei microchip
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24LC02B-I/SN |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOIC
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Tecnologia dei microchip
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MT46V32M16P-5B: J |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
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Tecnologia Micron
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24AA02E48-I/SN |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOIC
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Tecnologia dei microchip
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MT46V64M8P-5B: J |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
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Tecnologia Micron
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M24256-BWMN6TP |
IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO
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STMicroelettronica
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24AA025E48-I/SN |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOIC
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Tecnologia dei microchip
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W25Q80EWSNIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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W25X40CLZPIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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N25Q256A11EF840E |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN
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Tecnologia Micron
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W25Q80DVZPIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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NAND512W3A2SZA6E |
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
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Tecnologia Micron
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PC28F00BM29EWHA |
IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA
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Tecnologia Micron
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MX25V1635FZNI |
IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON
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MXIC, Macronix.
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W25Q64FWZPIG |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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PC28F128P33BF60D |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Tecnologia Micron
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W29N02GVBIAA |
IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA
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Winbond Electronics
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W971GG6SB25I |
IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
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Winbond Electronics
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BR24G04F-3GTE2 |
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOP
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Semiconduttore Rohm
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MT2F16G08ABABAWP:B |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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MT29F1G08ABADAWP-IT: |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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MT29F1G08ABBDAHC-IT: |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
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Tecnologia Micron
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MT29F1G16ABBDAHC-IT: |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
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Tecnologia Micron
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BR24L04FV-WE2 |
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SSOPB
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Semiconduttore Rohm
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MT29F2G08ABAEAH4: E |
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
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Tecnologia Micron
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M95256-RMN6TP |
IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SO
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STMicroelettronica
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MT47H128M8SH-25E: M. |
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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Tecnologia Micron
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MT2F32G08ABAAAWP-IT:A |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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MT47H64M16NF-25E: M. |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
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Tecnologia Micron
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MT29F4G08ABAEAWP: E |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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MT29F8G08ADBDAH4-IT: |
IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
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Tecnologia Micron
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MT29F8G16ADBDAH4-IT: |
IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA
|
Tecnologia Micron
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BR24G512FJ-3AGTE2 |
IC EEPROM 512K I2C 1 MHz 8SOPJ
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Semiconduttore Rohm
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MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
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Tecnologia Micron
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MT4117M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3M3 |
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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Tecnologia Micron
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W29GL128CH9T |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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Winbond Electronics
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W25Q32FWZPIG |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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W948D6FBHX5E |
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
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Winbond Electronics
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W25Q16DWSSIG |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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