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Semiconduttori
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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AUIRF4905 |
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
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Tecnologie Infineon
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IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
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Tecnologie Infineon
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MAX3486EESA+T |
IC TXRX RS485/422 2,5 MBPS 8SOIC
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Maxim integrato
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IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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Tecnologie Infineon
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MK10DX128VLK7R |
Microcontrollori ARM - MCU Kinetis 128K Flex
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Freescale/NXP
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MKL33Z256VLH4 |
Microcontrollori ARM - MCU 256KBSegmento LCD L
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Freescale/NXP
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LPC2214FBD144/01 |
Microcontrollori ARM - MCU ARM7 256KF/16KR/ADC
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Semiconduttori NXP
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2SK2837 |
Tipo MOS del canale N del silicio (π−MOSV)
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Semiconduttore di Toshiba
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, senza Pb
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Renesas Elettronica
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SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch Automotive
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Vishay Semiconduttori
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IXFN180N10 |
MOSFET 180 Amperi 100V 0,008 Rds
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IXYS
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IXFN230N10 |
MOSFET 230 Ampere 100V 0,006 Rds
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IXYS
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HAT2160H-EL-E |
MOSFET MOSFET
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Renesas Elettronica
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IXFB50N80Q2 |
MOSFET 50 Ampere 800V
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IXYS
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NX138AKSX |
MOSFET NX138AKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
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Nexperia
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10CX105YF672I6G |
FPGA - Field Programmable Gate Array
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Altera/Intel
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IXFN73N30 |
MOSFET 300V 73A
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IXYS
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CSD88537ND |
MOSFET a doppio canale di potenza N a 60 V
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Strumenti texani
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IXFH20N100P |
MOSFET 20 Ampere 1000V 1 Rds
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IXYS
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PMZB290UNE2YL |
MOSFET 20V MOSFET a trincea a canale N
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Nexperia
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IPD30N03S4L-14 |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Tecnologie Infineon
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
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Vishay Semiconduttori
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SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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Tecnologie Infineon
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FDP33N25 |
MOSFET 250V MOSFET a canale N
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Fairchild Semiconductor
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IPB014N06N |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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Tecnologie Infineon
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IPP60R099P6 |
PREZZO/PERFORMAZIONE del MOSFET ad alta potenza
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Tecnologie Infineon
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FQA9N90C |
MOSFET 900V QFET a canale N
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Fairchild Semiconductor
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FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V Logic Level con Zener
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Fairchild Semiconductor
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IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60V 2,7 Amp
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Vishay Semiconduttori
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DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
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Diodi incorporati
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IXFK66N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction MOSFET di classe X Pwr
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IXYS
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LFE2M20E-7FN256C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 19K LUTs 140 I/O SERDES DSP -7
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Fabbricazione a partire da:
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LFE3-95EA-8FN672C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 92K LUTs 380 I/O SERDES 1.2V -8 velocità
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Fabbricazione a partire da:
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LFE3-70EA-7FN672I |
FPGA - Field Programmable Gate Array 66.5K LUTs 380 I/O SERDES1.2V -7Spd IND
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Fabbricazione a partire da:
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LFE3-17EA-6MG328C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 17.3K LUTs 116 I/O 1.2V -6 SPEED
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Fabbricazione a partire da:
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IXTK82N25P |
MOSFET 82 Amperi 250V 0,035 Rds
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IXYS
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LCMXO3LF-6900C-6BG256I |
FPGA - Array di gate programmabile sul campo 6864 LUT
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Fabbricazione a partire da:
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IPD100N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Tecnologie Infineon
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LCMXO3LF-6900C-6BG256C |
FPGA - Array di gate programmabile sul campo 6864 LUT
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Fabbricazione a partire da:
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LCMXO2-7000HC-4TG144I |
FPGA - Array di gate programmabile su campo 6864 LUT 115 I/O 3,3 V 4 VELOCITÀ
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Fabbricazione a partire da:
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LCMXO2-2000HC-4TG144C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 2112 LUTs 112 IO 3.3V 4 Spd
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Fabbricazione a partire da:
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APA450-PQ208I |
FPGA - Field Programmable Gate Array ProASIC Plus
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Microsemi
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LCMXO2-4000HC-4TG144I |
FPGA - Array di gate programmabile su campo 4320 LUT 115 IO 3,3 V 4 velocità
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Fabbricazione a partire da:
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LCMXO3L-6900C-5BG256C |
FPGA - Array di gate programmabile sul campo MachXO3, 6864 LUT 2,5/3,3 V
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Fabbricazione a partire da:
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FQP6N40C |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET avanzata serie C
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Fairchild Semiconductor
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LCMXO2280C-4FTN256C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 2280 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd
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Fabbricazione a partire da:
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2N7002BKS,115 |
MOSFET a doppio canale N 60V 300mA
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Nexperia
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LCMXO2-2000HC-6TG100C |
FPGA - Array di gate programmabile sul campo 2112 LUT 80 IO 3,3 V 6 velocità
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Fabbricazione a partire da:
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Diodi incorporati
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PMXB360ENEAZ |
MOSFET 80 V, MOSFET a trincea a canale N
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Nexperia
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