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Semiconduttori
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1 GHz 96FBGA
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Tecnologia Micron
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MT41K512M16HA-125: |
DRAM 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
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Tecnologia Micron
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MT4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202M4202 |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
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Tecnologia Micron
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TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS e NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS e NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG3S0FTA00 |
Memoria flash 8Gb 3.3V SLC NAND Memoria flash EEPROM
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Toshiba
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MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F |
IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ
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Tecnologia Micron
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Tecnologia Micron
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MT25QU512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ TBGA
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Tecnologia Micron
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MT28EW01GABA1LPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Tecnologia Micron
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MT2commercio di beni immobili |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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W25Q64FVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Electronics
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W25Q64FVZPIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Electronics
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MT25QU256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT2comunicazione elettronica |
IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA
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Tecnologia Micron
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S29GL032N90FFA040 |
Memoria flash né
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Semiconduttore di cipresso
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MT4A1G8PM-083E:A |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT40A1G8SA-075: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Tecnologia Micron
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MT4F4G08AECDBJ4-6ITR: |
IC FLASH 64G PARALLEL 166MHZ
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Tecnologia Micron
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N25Q128A13ESFA0F |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
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Tecnologia Micron
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MT25QL256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Tecnologia Micron
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MT28EW01GABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MT2commercio di beni immobili |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MT41K256M16TW-125:P |
IC DRAM 4G PARALLEL 800 MHz
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Tecnologia Micron
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MT28EW01GABA1LJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
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Tecnologia Micron
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MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
IC DRAM 32G PARALLEL 1333 MHz
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Tecnologia Micron
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MT25QL128ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QL256ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT29F1G01ABAFDWB-IT:F |
IC FLASH 1G SPI
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Tecnologia Micron
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MT29F2G08ABAGAH4-IT: G |
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
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Tecnologia Micron
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MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
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Tecnologia Micron
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MT29F4G16ABADAWP-AIT: |
IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
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Tecnologia Micron
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MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Tecnologia Micron
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MT4A2G8NRE-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1.2 GHz
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Tecnologia Micron
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MT40A512M16LY-062E: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.6 GHz
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Tecnologia Micron
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MT51J256M32HF-70:A |
IC RAM 8G PARALLEL 1,75 GHz
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAJAECE-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC16GAKAEEF-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Tecnologia Micron
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MT51J256M32HF-80:B |
IC RAM 8G PARALLEL 2.0 GHz FBGA
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Tecnologia Micron
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MTFC128GAPALNS-AIT |
IC FLASH 1T MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC32GAPALBH-AAT |
IC FLASH 256G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC64GAPALBH-AAT |
IC FLASH 512G MMC
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Tecnologia Micron
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MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Tecnologia Micron
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MT4117M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1M1 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067 MHz
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Tecnologia Micron
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MT35XU512ABA1G12-0AUT |
NOR di serie 512M MT35X 45NM IT
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Tecnologia Micron
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THGBMFG7C1LBAIL |
Memoria flash EEPROM NAND da 16 GB
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Toshiba
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